半導體級晶體生長爐  KX170MCZ-大連連城數控機器股份有限公司
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半導體級晶體生長爐 KX170MCZ

半導體級晶體生長爐  KX170MCZ-大連連城數控機器股份有限公司

  • 最優化的3-6英寸CZ單晶生長方案
  • 領先的全數字控制系統
  • 先進的熱場設計

半導體級晶體生長爐  KX170MCZ
Performance  性能
  Typical Ingot Diameter 單晶直徑   150-230 mm (6-10 in)
  Pull Chamber Height  副室高度   2108 mm (83 in)
  Throat Diameter 喉口直徑   305 mm (12 in)
  Seed Lift Rate 晶升速率    0-508 mm/hr
  Seed Jog Speed (Nominal)  籽晶快速提升速率(最大)   508 mm/min
  Total Crucible Travel 坩鍋最大行程   500 mm (19.6 in )
  Crucible Lift Rate 坩鍋提升速率   0-254 mm/hr
  Crucible Jog Speed (Nominal)  坩鍋快速提升速率(最大)   50.8 mm/min
  Seed Rotation (Reversible) 籽晶旋轉速率(可逆)   0-50 rpm
  Crucible Rotation (Reversible)  坩鍋旋轉速率(可逆)   0-20 rpm
  CUPS 主真空泵   1000 Gs

Silicon Charge Capacity硅投料量
  *Hot Zones available to fit following crucible sizes 熱場尺寸取決于坩鍋直徑
  **Charges can be enhanced with Xtramelt? Feeder 使用 Xtramelt? 二次加料系統可提高裝料量
  Crucible Diameter*
  坩堝直徑
  Crucible Height*
  坩堝高度
  Charge Size Cold Pack
  冷裝投料量
  Enhanced Charge**
  復投裝料量
  24.0 in   16.33 in   170 kg   210 kg
  22.0 in   16.33 in   120 kg   150 kg

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