鍺單晶生長爐KX100-Ge -大連連城數控機器股份有限公司
所在位置: 首頁 - 產品中心-半導體類
鍺單晶生長爐KX100-Ge

鍺單晶生長爐KX100-Ge -大連連城數控機器股份有限公司

  • 最優化的4-8英寸CZ法鍺單晶生長方案
  • 領先的全數字控制系統
  • 先進的熱場設計
  • 國際上鍺晶體生長公司的首選

鍺單晶生長爐KX100-Ge
Performance  性能
  Typical Ingot Diameter 單晶直徑   100-200 mm(4-8")
  Pull Chamber Height 副室高度   1750 mm (69”)
  Throat Diameter 喉口直徑   305 mm (12”)
  Furnace Diameter 爐室內徑   865 mm
  Seed Lift Rate 籽晶提升速率   0-508 mm/hr
  Seed Jog Speed (Nominal) 籽晶快速提升速率(最大)   508 mm/min
  Total Crucible Travel 坩鍋最大行程   380 mm (15")
  Crucible Lift Rate 坩鍋提升速率   0-254 mm/hr
  Crucible Jog Speed (Nominal)  坩鍋快速提升速率(最大)   50.8 mm/min
  Seed Rotation (Reversible) 籽晶旋轉速率(可逆)   0-50 rpm
  Crucible Rotation (Reversible)  坩鍋旋轉速率(可逆)   0-20 rpm

Silicon Charge Capacity硅投料量
  Hot zones are available to fit the following crucible sizes. 熱場尺寸取決于坩鍋直徑
  Crucible Diameter
  坩鍋直徑
  Crucible Height
  坩鍋高度
  Charge Size
  投料量
  20.0 in   15.0 in   120 kg
返回
金蟾捕鱼游戏机 北京三分彩开奖 天津时时彩开奖号码 福彩山西快乐十分助手 黑龙江p62开奖结 安徽快3遗漏数据 快三计划群真的赚钱吗 重庆时时开奖中心 秒速时时精准计划群 快3计划APP 十一运夺金开奖号码走势图 福利彩票快乐12开奖结果查询 重庆欢乐生肖定位走势图 澳洲幸运5计划专家 全天10元5包微信群 19058期大了透开奖开奖结果 赛车pk